実験装置
F136
◆ＭＢＥ結晶成長装置（２号機） （ＥＩＫＯ社製）II-VI族を中心とした化合物半導体を成長可能。
◆ＭＢＥ結晶成長装置（３号機） （ＥＩＫＯ社製ベース自作機）IV-VI族を中心とした化合物半導体を成長可能。
◆原子層堆積装置（ALD）（自作）Al2O3などの酸化膜を原子層レベルで堆積可能。当研究室の自作装置。
F135
◆SQUID(Superconducting Quantum Interference Device) 超電導量子干渉素子(Quantum Design社製) 高磁場（最大5T）、低温での超高感度磁化測定が可能。RSOオプションあり。
◆レーザーアブレーション結晶成長装置 ZnO系希薄磁性半導体を成長するのに用いている。酸素導入可能。
◆光学窓付超伝導マグネット・クライオスタット（7Ｔ） （Ｏｘｆｏｒｄ社製） 高磁場、低温での伝導・光学測定が行える。最低温度は1.5Kほど。二台所有。
◆Ｎｄ+：ＹＡＧレーザ ＋ ＯＰＯ （ＨＯＹＡ Ｃｏｎｔｉｎｕｕｍ社製） PLD装置のレーザーとして使用。
◆Ｈｅ－Ｃｄレーザ （ＫＩＭＭＯＮ社製）PL発光測定の際の励起光として使用。
共同装置
XRD (RIGAKU, Phillips社製)
AFM, SEM, EDX, EPMA （JEOL社製）＠プロジェクト棟・ナノ物質創成・分析室
共同施設
低温センター（１７T/UT) ラーマン分光室（AR+イオンレーザー）
